UVLED结构组成

UVLED（紫外线LED）由一个或多个InGaN量子阱夹在较薄的GaN三明治结构之间组成，形成的有效区域是一个覆盖层。 通过将InN-GaN的相对比例更改为InGaN量子阱，可以将发射波长从紫光

更改为其他光。
AlGaN可以通过更改AlN比例来制作UVLED和量子阱层的包层，但是这些设备的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱层是GaN，则相反的是InGaN或AlGaN合金，

，则器件发射的光谱范围为350?370nm。


当LED泵上的蓝色InGaN电子脉冲短时，会产生紫外线。 含铝的氮化物，特别是AlGaN和AlGaInN可以制成短波长器件，并获得串联波长UVLED。 波长高达

247nm的二极管已经商品化，基于氮化铝可以发射210nm紫外线的发光二极管已经成功开发，并且在250?270nm波段的UVLED也正在开发中。


III-V族金属氮化物基半导体非常适合制造紫外线辐射源。 以AlGaInN为例，在室温下，随着各组分比例的变化，复合过程中电子和空穴的辐射能量为1.89?6.2eV。 如果LED

的有源层由GaN或AlGaN组成，则其紫外线辐射效率非常低，因为电子和空穴之间的复合是非辐射复合。 如果在此层中掺杂少量金属In，则有源层的局部能级将发生变化。


这时，电子和空穴将发生辐射复合。 因此，当有源层中掺杂有金属铟时，在380nm处的辐射效率比未掺杂时高19倍。

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