uvled原理

1.UVLED发光机理：PN结的端电压构成一定的势垒。 当正向偏置电压时势垒减小时，P区域和N区域中的多数载流子彼此扩散。 由于电子迁移率的迁移率远大于空穴的迁移率，因此大量电子将扩散到P区，从而在P区中注入少数载流子。 这些电子与价带中的空穴复合，并且在复合期间获得的能量以光能的形式释放。 这就是PN结发光的原理。
2，UVLED发光效率：通常称为组分的外部量子效率，是组分内部的量子效率与组分提取效率的乘积。 所谓的组件内部量子效率实际上就是组件本身的电光转换效率，这主要与组件本身的特性（例如组件材料的能带，缺陷和杂质）有关。），势垒晶体的组成成分和结构。 组件的提取效率是指组件内部产生的光子数，在组件自身吸收，折射和反射之后，实际上可以在组件外部对其进行测量。 因此，与提取效率相关的因素包括组分材料本身的吸收，组分的几何结构，组分和包装材料的折射率差以及组分结构的散射特性。 成分的内部量子效率与成分的提取效率的乘积是整个成分的发光效果，即成分的外部量子效率。 早期组件开发的重点是改善其内部量子效率，主要方法是提高势垒晶体的质量并改变势垒晶体的结构，以使电能不容易转化为热量，然后间接增加发光量 UVLED的效率，从而获得70%左右的理论内部量子效率，但是这样的内部量子效率几乎接近理论极限。 在这种情况下，仅通过增加模块内部量子效率就不可能增加模块的总光量。 因此，提高模块的提取效率已成为重要的研究课题。 当前的方法主要是：改变晶粒形状TIP结构，进行表面粗糙化技术。
3，UVLED电气特性：电流控制装置，负载特性UI曲线类似于PN结，正向方向的很小变化导通电压将引起正向电流的较大变化（指数级），反向漏电流非常小，有反向击穿电压。 在实际使用中，您应该选择。UVLED正向电压随着温度的升高而变小，负温度系数。UVLED消耗功率，其中一部分被转换为光能，这是我们所需要的。 其余部分转化为热量，从而提高了结温。 耗散的热量（功率）可以表示为。
4.UVLED光学特性：UVLED提供具有较大半宽度的单色光。 由于半导体的能隙随着温度的升高而减小，因此其发射的峰值波长随温度的升高而增加，即光谱红移，温度系数为+ 2?3A /。UVLED发光亮度L和正向电流。 随着电流的增加，发光亮度也大约增加。 另外，发光亮度也与环境温度有关。 当环境温度高时，复合效率降低并且发光强度降低。5.UVLED热学特性：小电流下LED温升不明显。 如果环境温度高，UVLED的主波长将发生红移，亮度会降低，并且光的均匀性和一致性会变差。 尤其是，点矩阵和大型显示屏的温度上升对LED的可靠性和稳定性具有更大的影响。 因此散热设计非常重要。UVled光源
6，UVLED寿命：UVLED长期工作会由于光衰减而引起老化，特别是对于高功率的UVLED，光衰减的问题更为严重。 在测量UVLED的寿命时，仅将灯泡的损坏作为UVLED寿命的终点是不够的。LED的寿命应由UVLED的光衰减百分比指定，例如35%，这更有意义。。
7。 大功率UVLED包装：主要考虑散热和发光。 关于散热，请使用铜基热衬，然后连接至铝基散热器。 芯片和散热片通过焊接连接。 这种散热方法效果更好，性价比更高。 在发光方面，采用倒装芯片技术，并且在底面和侧面上添加反射面以反射浪费的光能，从而可以获得更多的消光光。

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